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齊納二極體

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齊納二極體在电路图中的符號
稽納二極體的電流電壓關係圖,在此顯示崩潰電壓為17伏特。在此須注意的是,正向偏壓(正方向)與逆向偏壓(負方向)電壓數值的比例大小。通常可承受的正向偏壓為0.65~0.7伏特;當電流約為1毫安培時,電壓為約為0.65伏特。

稽納二極體(英語:Zener diode),是利用二极管反向偏置運作下的齊納效應制成的一种电子元件元件。由於具有稳定电压功能,因此又称为“稳压二極體”(英語:regulator diode)。

齐纳二極體的名稱是取自美國理論物理學家克拉倫斯·梅爾文·齐纳,他首先闡述了絕緣體的電擊穿特性,後來貝爾實驗室運用這項發現,開發出此種二極體,並以齐纳作為命名以茲紀念。

基本原理

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一般二極體正向導通時電壓可維持在0.7V,可提供穩定的電壓,但如果我們需要更大的電壓時,則需串聯很多的二極體,使用上不是很方便。但觀察二極體逆向偏壓很大時,所發生的击穿現象,此現象和正向導通時情況類似,都有穩壓穩流的特性。因此,利用這個特性發明了這種特殊的二極體——齐纳二極體,特別用在逆向偏壓的击穿範圍。通常齐纳二極體掺雜濃度為

與一般二極體有何異同

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齐纳二極體的順向偏壓和一般二極體相同,但是其反向击穿電壓(又稱齐纳電壓)的範圍遠大於一般的二極體,能承受比一般二極體更高的電壓,而且齐纳二極體的逆向電壓操作是可逆的。常見的齐纳電壓從3伏特到100伏特。

優點

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齐纳二極體可以簡化電路,如上所說,如果需要多顆二極體串聯的電路,則可以用齐纳二極體來簡化電路。齐纳二極體的這些特性,在電壓比較器、直流穩壓電源等方面有廣泛的應用。

參見

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参考文献

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