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赫尔曼·古梅尔

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赫尔曼·古梅尔
出生赫尔曼·古梅尔
(1923-07-05)1923年7月5日
魏瑪共和國普魯士自由邦汉诺威
逝世2022年9月5日(2022歲—09—05)(99歲)
美国新泽西州
母校马尔堡大学
雪城大學
奖项大卫·沙诺夫奖(1983年)
美国国家工程院院士(1985年)
菲尔·卡夫曼奖 (1994年)
科学生涯
研究领域半导体装置

赫尔曼·卡尔·古梅尔(德語:Hermann Karl Gummel,1923年7月5日—2022年9月5日),德国物理学家,主要从事半导体领域研究[1]

生平

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1923年生于普鲁士汉诺威,1952年在菲利普斯大学获得物理学大学文凭。1957年在美国雪城大學获得半导体物理学博士学位[2]。1956年加入贝尔实验室[3]。主要从事半导体装置研究。曾提出数学模型,用来描述双极性晶体管的具体工作原理,成为集成电路通用模拟程序程序开发的核心[4]。1983年获得电气电子工程师学会大卫·沙诺夫[5]。1985年当选美国国家工程院院士[6]。1994年,获得首届菲尔·卡夫曼奖[7]。2022年9月5日逝世[1]

主要论文

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  • Gummel, Hermann; Lax, Melvin. Thermal capture of electrons in silicon. Annals of Physics. 1957, 2 (1): 28–56. Bibcode:1957AnPhy...2...28G. doi:10.1016/0003-4916(57)90034-9. 
  • Gummel, H. K.; Poon, H. C. An integral charge control model of bipolar transistors. Bell Syst. Tech. J. May 1970, 49 (5): 827–852. doi:10.1002/j.1538-7305.1970.tb01803.x. 
  • Gummel, H. K.; Chawla, Basant R.; Kozak, Paul. MOTIS-An MOS Timing Simulator. IEEE Transactions on Circuits and Systems. December 1975, CAS–22 (12): 901–910. 

参考资料

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  1. ^ 1.0 1.1 Hermann K. Gummel Obituary. IEEE Council on Electronic Design Automation. [2022-09-16]. (原始内容存档于2022-09-25). 
  2. ^ Contributors to this issue. Bell System Technical Journal. January 1961: 349 [2022-09-11]. (原始内容存档于2022-11-01). 
  3. ^ Birman, Joseph L.; Cummins, Herman Z. Melvin Lax. Biographical Memoirs Vol. 87 (PDF). National Academy of Sciences. 2005: 3–25 [2022-11-01]. (原始内容存档 (PDF)于2012-10-21). 
  4. ^ Newton, A. Richard. Presentation of the 1994 Phil Kaufman Award to Dr. Hermann K. Gummel. 1994-11-06. (原始内容存档于2012-10-15). 
  5. ^ IEEE David Sarnoff Award Recipients (PDF). IEEE. [2022-08-05]. (原始内容存档 (PDF)于2012-05-09). 
  6. ^ Dr. Hermann K. Gummel. National Academy of Engineering. [2022-08-05]. (原始内容存档于2022-11-01). 
  7. ^ Hermann K. Gummel: 1994 Phil Kaufman Award Honoree. Electronic Design Automation Companies (EDAC). 1994-11-09. (原始内容存档于2011-07-26).