卓以和 出生 1937年7月10日 (86岁)北平市 就读学校 职业 发明家 奖项 国家技术与创新奖章 (美国)、埃利奥特·克雷森奖章 、IEEE荣誉奖章 、拉姆福德奖、美国国家发明家名人堂、Morris N. Liebmann纪念奖、美国物理学会会士、詹姆斯·麦格罗蒂新材料奖、Willis E. Lamb Award
卓以和 (英语:Alfred Yi Cho ,1937年7月10日— ),籍贯北平 ,美国华裔 物理学家,电器工程师,分子束外延 (Molecular beam epitaxy)技术的鼻祖,量子级联激光器 的共同发明人,对Ⅲ-V族 化合物半导体 、金属和绝缘体 的异质外延 和人工结构的量子阱 、超晶格 及调制掺杂微结构材料系统地开展了大量先驱性的研究工作。
卓以和于1937年生于北京 。他的祖父卓定谋 (字君庸)是中华民国 第一届国大代表 。1949年全家移住香港 ,就读于培正中学 。
卓以和高中毕业后,留学美国,在伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校 (University of Illinois at Urbana-Champaign)取得电气工程 学士、硕士和博士学位。
卓以和的专长为应用物理 科学和工程 科学。主要的贡献是发明分子束外延 (Molecular beam epitaxy)技术和量子级联激光器 (Quantum cascade laser)。
卓以和目前担任美国Alcatel-Lucent贝尔实验室 半导体 研究所助理副总裁。目前并担任中华民国教育部 、工研院 、中研院 物理所顾问 。
卓以和曾获选为
获奖:
1993年,获颁美国国家科学奖章 (National Medal of Science),
1994年,获颁IEEE荣誉奖章 ,
2007年,获颁美国国家技术奖章(National Medal of Technology)。
卓以和夫妇育有一儿三女。
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