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File:NPN BJT (Planar) Cross-section.svg

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原始文件 (SVG文件,尺寸为300 × 175像素,文件大小:9 KB)


描述
English: A schematic cross section of a planar NPN BJT, showing the three differently doped silicon regions.
日期
来源 自己的作品
作者 Inductiveload
授权
(二次使用本文件)
Public domain 我,本作品著作权人,释出本作品至公有领域。这适用于全世界。
在一些国家这可能不合法;如果是这样的话,那么:
我无条件地授予任何人以任何目的使用本作品的权利,除非这些条件是法律规定所必需的。

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2010年8月2日 (一) 06:302010年8月2日 (一) 06:30版本的缩略图300 × 175(9 KB)Inductiveload{{Information |Description={{en|1=A schematic cross section of a planar NPN BJT, showing the three differently doped silicon regions.}} |Source={{own}} |Author=Inductiveload |Date=2010-08-02 |Permission={{P

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