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File:Common SiO2 vs high-k gate stack (DE).svg

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原始文件 （SVG文件，尺寸为401 × 235像素，文件大小：7 KB）

摘要

描述
English: Comparison of high-k dielectric structure with conventional silicon dioxide gate dielectric. Schematic is a graphical representation of an idea in the presentation by G. E. Moore, Intel Inc.
Deutsch: Vergleich eines konventionellen Gate-Schichtstapel mit Siliziumdioxid als Dielektrikum mit dem eines in High-k+Metal-Gate-Technik (vereinfachte Darstellung) hergestellten Gate-Schichtstapels. Das Schema wurde in Anlehung einer Präsentation von G. E. Moore, Intel Inc., erstellt
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    • 2008-01-14T18:14:30Z Stannered 401x235 (8539 Bytes) {{Information |Description=Comparison of high-k dielectric structure with conventional silicon dioxide gate dielectric. Schematic is my graphical representation of an idea in the presentation by G. E. Moore, Intel Inc. |Sourc

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2010年2月20日 (六) 08:512010年2月20日 (六) 08:51版本的缩略图401 × 235（7 KB）Cepheidensmall fixes
2010年2月20日 (六) 08:452010年2月20日 (六) 08:45版本的缩略图401 × 235（7 KB）Cepheiden{{Information |Description={{en|Comparison of high-k dielectric structure with conventional silicon dioxide gate dielectric. Schematic is a graphical representation of an idea in the presentation by G. E. Moore, Intel Inc.}} {{de|Vergleich eines konventio

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